本文介绍了DDR2内存的工作机制，特别是刷新操作。DDR2内存通常每隔64毫秒需要刷新一次，通过预充电(precharge)和刷新(refresh)过程确保电容保持正确电平。tRAS和tRP分别代表行激活时间和预充电时间，tRC是行周期时间，而tRFC是刷新周期时间。此外，讨论了多行刷新、bank间切换的延迟(tRRD)以及全访问窗口(tFAW)的概念，强调了在低功耗模式下如何高效管理内存刷新。
随着时间的流逝，节电容的电量一点点流逝，需要刷新refresh，重新充电。
prechage：对bitline充电，使得两根bitline的电位为1/2Vref
refresh：定期打开wordline，对节电容进行充电
DDR2：一般间隔64ms刷新一次。
平时，当wordline打开后，由于不平衡原理，bitline上面的电平会慢慢变成1，bitline负上面的电平会慢慢变成0，然后打开CSL，将数据输出到总线/寄存器上。
对于refresh，只需要行选通，不需要CSL打开进入输出的过程。bitline的1的能量来自于SAN/SAP，SAN/SAP一开始也是1/2Vref，最后会偏成一个是1，一个是0.之后电量会一点点充回节电容，充电完成后，还要经历一次precharge的时间，使得两根bitline回复到1/2Vref 1/2 Vcc。
tRAS：打开某一行，
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