【DRAM存储器三】内存颗粒内部结构

存储器层次结构 缓存-主存层次，主存-辅存层次 缓存的功率大于主存，速度高于主存，缓存和主存之间，通过硬件技术进行连接，为了解决CPU和主存速度的不匹配问题，使用硬件技术 提升速度。主存辅存之间通过软硬件结合进行连接，辅存用于解决主存容量问题。 主存的基本组成 存储体由若跟个存储单元组成，存储单元由多个存储元件组成 存储体----存储单元（存储一串二进制串）----存储元件（存储一个0/1）...

内部结构 DRAM芯片（动态随机储存器）可被分为d个超单元，每个超单元由w个DRAM单位组成。这样的芯片储存了dw位信息。超单元被组织成阵列。每个超单元都有自己的地址：（i，j）。i表示行，j表示列。 在上图的DRAM芯片中，由16个超单元，每个超单元的w=8（所含字节的位数），4行4列。信息可以通过引脚进行传输。每个引脚携带一位的信号。图中有两组引脚，2个addr引脚，用于传输超单元的行与列的地址。8个data引脚，可传送一个字节的信息。DRAM芯片会与内存控制器相连，内存控制器可以与DRAM芯片进

内存颗粒的命名规则是厂商技术实力的“暗号”，三星B-Die、海力士CJR、镁光E-Die曾统治高端市场，而长鑫的崛起为国产存储打开新局面。选型时需结合硬件项目工程预算、平台兼容性和性能需求，避免盲目追求高频。喜欢本文推送，欢迎关注。

最近想对DDR了解多一点，看标准的时候发现有些概念还是不清楚，比如预充电Precharge是什么？刷新Refresh，又是为什么？要知道这些问题的答案，就需要知道DDR内部存储单元结构，通过查阅资料，总结如下，分享给大家。 DDR SDRAM Bit Cells DDR SDRAM是类似一个网格阵列，其中基本存储单元称之为cell。 每个Cell包含一个电容Cbit和一个FE...

现在只给蓝色的字节线通电，这时导通控制极控制晶体管联通，电路变成通路，这时比特线上没有电，那么电容器上的电荷就会通过比特线流走，这时电容变回低电势，低电势对应二进制的0，所以在这个简单的电路中，电容可以存储1比特的数据。根据电容器高低电势分别对应二进制的1和0，由此我们可以得到，在内存中存储数据的最小单位就是这个基本单元电路，也就是1比特。

【※硬件基础之内存的物理结构和工作原理※】系统收藏         内存也叫主存，是PC系统存放数据与指令的半导体存储器单元，也叫主存储器（Main Memory），通常分为只读存储器（ROM-Read Only Memory）、随机存储器（RAM-Red Access Memory）和高速缓存存储器（Cache）。我们平常所指的内存条其实就是RAM，其主要的作用是存放各种输入、输出数据和中间计

DRAM芯片是一个由块（Bank），行（Row），列（Column） 组成的三维结构。

简单介绍LPDDR5的特性、引脚定义和基本结构

内存颗粒编码原则，方便大家识别颗粒是否可用与扩容 Samsung  具体含义解释：  例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0  主要含义：  第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。  第2位——芯片类型4，代表DRAM。  第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。  第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的

现在进入动态时序阶段 一般，把对SDRAM的一次操作分为四个阶段，命令阶段/Bank操作阶段，Device操作阶段，数据总线阶段。 命令阶段：DMC要做两件事情，1>把各路的控制信号线线置位成它该有的电平，如CLK/CAS/RAS等，同时把行地址线上ADDR0~ADDR14把行地址给出来。同时给出Bank0~2的地址，选择8个bnak。控制器给出行地址以后，Device收到信号后进行解码。首先对命令进行解码，同时对address解码，收到寄存器里面，分到行地址1分舵的多路器，分到各个bank进..

此处，从时序的角度再次分析这个电路，这里主要是这些t参数 第一步：Precharge，先要把bitline，bitline反，SAN，SAP全都置成1/2Vcc，此时sense电路不公正，电压均衡电路工作 第二步：Access，Prechage完成之后，wordline开始打开，这一列选通，列选通以后，进入Bank Access的阶段，Bank开始数据输出，输出到Vref。此阶段，电压均衡电路不工作。该阶段/access，位里面的少量的电容被加到bitline，bitline电压开始升高，变成Vre..

prfetch length：普通SDRAM为N DDR：2N DDR2：4N DDR3:8N 数据总线宽度/ 下面为三星DDR2的状态转换图 动态内存有漏电的问题，每过一段时间就需要进行refresh refresh与precharge不同，precharge是把两根bitline充到1/2Vcc的过程，而Refresh是对所有的位元读出来有重写一遍。 假设要进行一个读的过程，首先要发一个ACT命令，激活一个row，row隶属于一个bank。激活一个row，也就相当于激活一个bank..

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随着时间的流逝，节电容的电量一点点流逝，需要刷新refresh，重新充电。 prechage：对bitline充电，使得两根bitline的电位为1/2Vref refresh：定期打开wordline，对节电容进行充电 DDR2：一般间隔64ms刷新一次。 平时，当wordline打开后，由于不平衡原理，bitline上面的电平会慢慢变成1，bitline负上面的电平会慢慢变成0，然后打开CSL，将数据输出到总线/寄存器上。 对于refresh，只需要行选通，不需要CSL打开进入输出...