SAR ADC的非理想效应

SAR ADC的精度和速度受MOS开关非理想效应(电荷注入、时钟馈通、导通电阻变化、衬底偏置)、电容阵列失配、比较器失调、DAC建立误差、失调和增益误差以及噪声等多方面影响。这些因素导致的误差如电容失配、失调电压、增益非线性等,需要在设计中考虑并优化,以提高转换精度。

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在SAR ADC中,各个电路模块的非理想因素都有可能对模数转换器的精度或者速度产生影响,下面将系统地描述SAR ADC设计中存在的非理想因素。

1.MOS开关的非理想效应

电荷注入效应:当MOS管从导通状态切换到关断状态时,沟道电荷会注入源漏两端的电容之中,影响采样电容上的电压值,称为电荷注入效应。

时钟馈通效应:由于栅漏之间寄生电容的存在,时钟信号会被耦合到输出端,称为时钟馈通效应。

导通电阻随输入信号变化:对于一个单个N管构成的开关管,当栅端电压为VDD时,开关管导通。计算此时的栅源电压可知VGS=VDD-VIN,其中的栅源电压是随着VIN的变化而变化的,即导通电阻也是随输入信号而变化。

 

衬底偏置效应:随着衬底电压的改变阈值电压随之变化的效应称为衬底偏置效应,也叫体效应。由于阈值电压的改变,导通电阻也发生改变,导致MOS开关非理想。

2.电容阵列的失配

SAR ADC中电容阵列的电容值是按照二进制分布的,然而在电容的制造过程中,由于工艺精度的限制导致电容边缘刻蚀的不精准及氧化层厚度的不均匀导致电容值偏移理论值,从而导致电容阵列的分布不是标准的二进制,对SAR ADC的转换精度产生了影响。

固定工艺下电容失配的表达式:

### SAR ADC 建模基础 成功实现逐次逼近寄存器 (Successive Approximation Register, SAR) 模数转换器 (Analog-to-Digital Converter, ADC) 的建模需要理解其工作原理以及如何将其映射到 MATLAB 中的算法框架。SAR ADC 是一种通过逐步比较输入电压与内部参考电压来完成数字化过程的设备。 在 MATLAB 中,可以通过离散时间信号处理技术模拟 SAR ADC 的行为。以下是构建 SAR ADC 模型的关键要素: #### 数字逻辑表示 SAR ADC 使用二进制搜索方法将输入电压量化为数字码字。此过程中涉及的主要组件包括采样保持电路、比较器和电容 DAC(Digital-to-Analog Converter)。这些功能可以被抽象化并用 MATLAB 函数表达[^1]。 ```matlab function [output_code] = sar_adc_model(input_voltage, reference_voltage, bits) % 初始化变量 output_code = zeros(1,bits); % 设置初始条件 dac_value = 0; step_size = reference_voltage / 2; % 开始逐位逼近 for i = 1:bits temp_dac = dac_value + step_size; if input_voltage >= temp_dac output_code(i) = 1; dac_value = temp_dac; end step_size = step_size / 2; end end ``` 上述函数展示了基本 SAR 转换机制的一个简单版本。它接受三个参数:`input_voltage` 表示待测量的实际模拟值;`reference_voltage` 定义满量程范围的最大可能值;而 `bits` 则指定了分辨率即输出结果的有效比特数目[^2]。 #### 性能分析工具箱应用 MATLAB 提供了专门用于通信系统的 Simulink 工具包,其中包含了更复杂的 ADC 和 DAC 模块。利用这些预定义模块可以帮助快速搭建仿真环境,并允许进一步调整模型以考虑诸如噪声影响等因素的影响[^3]。 #### 理想因素考量 实际中的 SAR ADC 可能会受到多种理想效应干扰,比如偏移误差、增益误差或者线性度失真等问题。为了使仿更加贴近真实情况,在设计阶段就应该把这些潜在偏差纳入计算之中[^4]。
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