- 博客(700)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 ASEMI低压MOS管ASE50N03参数，ASE50N03封装
RDS（开启）：5.8mΩ （最大值）@VG=10V。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：5.8mΩ。储存温度（Tstg）：-55 to 150℃。无与伦比的门电荷：Qg=43nC（典型值）。二极管反向恢复时间（trr）：35nS。二极管正向电压（VSD）：1.3V。输入电容（Ciss）：2250pF。漏极-源极电压（VDS）：30V。栅源电压（VGS）：20V。漏极电流（ID）：50A。封装：TO-252-2L。功耗（PD）：60W。总长度：10.4mm。本体长度：6.2mm。脚间距：2.28mm。
2023-02-22 16:54:57
768
原创 ASE4N65SE-ASEMI高压MOS管ASE4N65SE
ASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。
2023-02-21 16:56:05
515
原创 ASEMI高压MOS管ASE20N65SE体积，ASE20N65SE大小
RDS（开）:0.42Ω （最大值）@VG=10V。无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω。储存温度（Tstg）：-55 to 150℃。二极管反向恢复时间（trr）：530nS。漏极-源极电压（VDS）：650V。二极管正向电压（VSD）：1.4V。输入电容（Ciss）：3520pF。栅源电压（VGS）：30V。漏极电流（ID）：20A。功耗（PD）：239W。本体长度：20.1mm。总长度：40.4mm。脚间距：5.45mm。
2023-02-21 16:54:00
529
原创 ASE20N60-ASEMI的MOS管ASE20N60
ASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60的电性参数是：正向电流(Io)为20A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。
2023-02-20 16:39:56
976
原创 ASEMI低压MOS管50N06S，50N06S图片，50N06S尺寸
RDS（开）:0.015Ω （最大值）@VG=10V。储存温度（Tstg）：-55 to 175℃。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：15mΩ。无与伦比的门电荷：Qg=nC（典型值）。二极管反向恢复时间（trr）：28nS。二极管正向电压（VSD）：1.2V。输入电容（Ciss）：2050pF。漏极-源极电压（VDS）：60V。栅源电压（VGS）：25V。漏极电流（ID）：50A。总长度：10.35mm。本体长度：6.25mm。功耗（PD）：85W。脚间距：2.34mm。
2023-02-20 16:39:08
672
原创 ASEMI高压MOS管4N65SE，4N65SE参数，4N65SE特征
R DS（开）:2.50Ω （最大值）@V G=10V。储存温度（Tstg）：-55 to 150℃。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：2.5Ω。无与伦比的门电荷：Qg=14nC（典型值）。二极管反向恢复时间（trr）：393nS。漏极-源极电压（VDS）：650V。二极管正向电压（VSD）：1.4V。输入电容（Ciss）：560pF。栅源电压（VGS）：30V。本体长度：15.87mm。漏极电流（ID）：4A。功耗（PD）：50W。总长度：28.8mm。宽度：10.16mm。脚间距：2.54mm。
2023-02-18 16:03:37
932
原创 ASEMI代理FGH60N60SFD，安森美FGH60N60SFD原装IGBT
低饱和电压：VCE（sat）=2.3 V@IC=60 A。工作结温度（TJ）：−55 to +150℃。G−E阈值电压（VGE(th)）：6.5V。集电极到发射极电压（VCES）：600V。栅极到发射极电压（VGES）：±20V。集电极截止电流（ICES）：250uA。二极管反向恢复时间（Trr）：47NS。输入电容（Cies）：2820pF。二极管正向电压（VFM）：2.6V。二极管正向电流（IF）：60A。该设备不含铅，符合RoHS标准。收集器电流（IC）：120A。最大功耗（PD）：378W。
2023-02-18 16:02:33
789
原创 ASE28N50-ASEMI高压N沟道MOS管ASE28N50
ASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50的电性参数是：正向电流(Io)为28A，漏极-源极击穿电压为500V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。
2023-02-17 17:03:56
1035
原创 ASEMI代理FGH60N60SMD安森美ON原装原厂IGBT
第二代IGBT采用新型场停IGBT技术，FGH60N60SMD可为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能，其中低传导和开关损耗至关重要。低饱和电压：VCE（sat）=1.9 V（典型值）@IC=60 A。集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）：2.5V。脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A。集电极到发射极电压（VCES）：600V。栅极到发射极电压（VGES）：±20V。二极管正向电压（VFM）：2.1V。收集器电流（IC）：120A。最大功耗（PD）：600W。
2023-02-17 17:03:11
1329
原创 ASEMI中低压MOS管18N20参数，18N20封装，18N20尺寸
RDS（开）:0.18Ω （最大值）@VG=10V。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.18Ω。储存温度（Tstg）：-55 to 150℃。无与伦比的门电荷：Qg=20nC（典型值）。二极管反向恢复时间（trr）：158us。漏极-源极电压（VDS）：200V。二极管正向电压（VSD）：1.5V。输入电容（Ciss）：1080pF。栅源电压（VGS）：±30V。漏极电流（ID）：18A。功耗（PD）：83W。本体长度：6.1mm。
2023-02-16 16:55:45
1279
原创 ASE12N65SE-ASEMI高压MOS管ASE12N65SE
ASE12N65SE的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE12N65SE的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为16.2mm，加引脚长度为30.47mm，宽度为10.28mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。二极管正向电压(VSD)：1.4V。封装：ITO-220AB。正向电流(Io)：12A。
2023-02-16 16:55:26
456
原创 ASEMI中低压MOS管ASE60N10参数，ASE60N10规格
无与伦比的门电荷：Qg=146.1nC（典型值）。RDS（开启）：17mΩ （最大值）@VG=10V。储存温度（Tstg）：-55 to 175℃。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ。二极管反向恢复时间（trr）：35ns。二极管正向电压（VSD）：0.85V。漏极-源极电压（VDS）：100V。输入电容（Ciss）：3969pF。栅源电压（VGS）：±20V。漏极电流（ID）：60A。型号：ASE60N10。功耗（PD）：160W。本体长度：10.8mm。脚间距：5.28mm。
2023-02-15 16:16:47
532
原创 20N65-ASEMI高压MOS管20N65
20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为20.1mm，加引脚长度为40.4mm，宽度为15.8mm，高度为5.0mm，脚间距为5.45mm。
2023-02-15 16:14:06
1815
原创 ASEMI代理FGH60N60，安森美FGH60N60车规级IGBT
低饱和电压：VCE（sat）=1.9 V（典型值）@IC=60 A。工作结温度（TJ）：−55 to +175℃。G−E阈值电压（VGE(th)）：4.5V。集电极到发射极电压（VCES）：600V。栅极到发射极电压（VGES）：±20V。集电极截止电流（ICES）：250uA。二极管反向恢复时间（Trr）：30NS。输入电容（Cies）：2915pF。二极管正向电压（VFM）：2.1V。二极管正向电流（IF）：60A。收集器电流（IC）：120A。最大功耗（PD）：600W。正温度系数，便于并联操作。
2023-02-13 16:40:06
913
原创 ASEMI低压MOS管AO3401封装，AO3401图片
AO3401采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。接头和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ。二极管反向恢复时间（trr）：20.2ns。二极管正向电压（VSD）：0.75V。漏极-源极电压（VDS）：30V。输入电容（Ciss）：954pF。脉冲漏极电流（IDM）：30A。栅源电压（VGS）：±12V。连续漏电流（I）：4.2A。功耗（PD）：1.4W。
2023-02-13 16:38:02
602
原创 ASEMI三相整流模块MDS100-16图片，MDS100-16尺寸
每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0.32℃/W。储存温度范围（TSTG）：-40 to +125℃。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V。最大平均正向整流输出电流（IF）：100A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：920A。最大瞬时正向压降（VF）：1.9V。最大直流反向电流（IR）：≤5mA。闭锁电压：800至1800V。型号：MDS100-16。直流电机励磁电源整流器。变频驱动器的输入整流器。固定孔间距：66mm。
2023-02-10 16:20:07
745
原创 MDS75-16-ASEMI三相整流模块MDS75-16
MDS75-16的浪涌电流Ifsm为920A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS75-16的电性参数是：正向电流(Io)为75A，反向耐压为1600V，正向电压(VF)为1.9V，其中有5条引线。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。它的本体长度为80mm，固定孔间距为66mm，宽度为40mm，高度为34mm，脚间距为36mm。
2023-02-10 16:18:59
714
原创 ASEMI三相整流模块MDS55-16特征，MDS55-16应用
每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0.32℃/W。储存温度范围（TSTG）：-40 to +125℃。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V。最大平均正向整流输出电流（IF）：55A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：920A。最大瞬时正向压降（VF）：1.9V。最大直流反向电流（IR）：≤5mA。闭锁电压：800至1800V。型号：MDS55-16。直流电机励磁电源整流器。变频驱动器的输入整流器。固定孔间距：66mm。
2023-02-09 16:52:17
212
原创 MDQ60-16-ASEMI三相整流模块MDQ60-16
MDQ60-16的浪涌电流Ifsm为920A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDQ60-16的电性参数是：正向电流(Io)为60A，反向耐压为1600V，正向电压(VF)为1.9V，其中有4条引线。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。它的本体长度为80mm，固定孔间距为66mm，宽度为40mm，高度为27mm，脚间距为36mm。
2023-02-09 16:50:18
435
原创 ASEMI整流模块MDQ75-16封装，MDQ75-16大小
每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0.3℃/W。储存温度范围（TSTG）：-40 to +125℃。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V。最大平均正向整流输出电流（IF）：75A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：920A。最大瞬时正向压降（VF）：1.9V。最大直流反向电流（IR）：≤5mA。闭锁电压：800至1800V。型号：MDQ75-16。直流电机励磁电源整流器。变频驱动器的输入整流器。固定孔间距：66mm。
2023-02-08 16:19:09
235
原创 ASEMI整流模块MDQ100-16的优点是什么？
MDQ100-16模块化结构提高了产品的密度、安全性和可靠性，降低了设备的生产成本，缩短了新产品进入市场的周期，提高了企业的市场竞争力。由于电路的布线已经在模块内部完成，缩短了元件之间的布线，可以实现优化布线和对称结构的设计，从而大大降低器件电路的寄生电感和电容参数，有利于实现器件的高频化。此外，MDQ100-16与相同容量的分立器件的结构相比，模块化结构还具有体积小、重量轻、结构紧凑、外部布线简单、易于维护和安装的优点，这大大减小了器件的尺寸，降低了器件的重量和成本。最大瞬时正向压降（VF）：1.9V。
2023-02-08 16:17:25
467
原创 MSAD260-16-ASEMI单臂共阳极整流模块MSAD260-16
MSAD260-16的浪涌电流Ifsm为11000A，漏电流(Ir)为15mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MSAD260-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MSAD260-16的电性参数是：正向电流(Io)为260A，反向耐压为1600V，正向电压(VF)为1.25V，其中有3条引线。以上就是关于MSAD260-16-ASEMI单臂共阳极整流模块MSAD260-16的详细介绍。它的本体长度为92mm，加引脚长度为115mm，宽度为50mm，高度为52mm，脚间距为35mm。
2023-02-07 16:53:02
398
原创 ASEMI整流模块MSAD165-16参数，MSAD165-16规格
每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0.18℃/W。储存温度范围（TSTG）：-40 to +125℃。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V。最大平均正向整流输出电流（IF）：165A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：6000A。最大瞬时正向压降（VF）：1.4V。最大直流反向电流（IR）：≤9mA。晶体管式交流电机控制器用线路整流器。AC/AC转换器用非可控整流器。闭锁电压：800至1800V。型号：MSAD165-16。固定孔间距：80mm。
2023-02-07 16:51:49
494
原创 ASEMI整流模块MSAD110-16图片，MSAD110-16体积
每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0.35℃/W。储存温度范围（TSTG）：-40 to +125℃。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V。最大平均正向整流输出电流（IF）：110A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：2500A。最大瞬时正向压降（VF）：1.35V。最大直流反向电流（IR）：≤5mA。晶体管式交流电机控制器用线路整流器。AC/AC转换器的非可控整流器。型号：MSAD110-16。固定孔间距：80mm。
2023-02-06 17:10:05
249
原创 MDA500-16-ASEMI单臂共阳极整流模块MDA500-16
MDA500-16在MDA封装里采用的2个芯片，是一款单臂共阳极整流模块。MDA500-16的浪涌电流Ifsm为20000A，漏电流(Ir)为25mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDA500-16的电性参数是：正向电流(Io)为500A，反向耐压为1600V，正向电压(VF)为1.8V，其中有3条引线。以上就是关于MDA500-16-ASEMI单臂共阳极整流模块MDA500-16的详细介绍。它的本体长度为107mm，加引脚长度为126mm，宽度为63mm，高度为54mm，脚间距为43mm。
2023-02-06 17:09:04
331
原创 ASEMI整流模块MDA300-16封装，MDA300-16大小
编辑-ZASEMI整流模块MDA300-16参数：型号：MDA300-16最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V最大平均正向整流输出电流（IF）：300A峰值正向浪涌电流（IFSM）：11000A每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0.08℃/W储存温度范围（TSTG）：-40 to +125℃最大瞬时正向压降（VF）：1.8V最大直流反向电流（IR）：≤15mA MDA300-16封装大小：封装：MDA总长度：115mm固定孔间距：80mm宽度：5
2023-02-03 16:05:41
592
原创 MDA260-16-ASEMI整流模块MDA260-16
MDA260-16在MDA封装里采用的2个芯片，是一款单臂共阳极整流模块。MDA260-16的浪涌电流Ifsm为11000A，漏电流(Ir)为15mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDA260-16的电性参数是：正向电流(Io)为260A，反向耐压为1600V，正向电压(VF)为1.25V，其中有3条引线。以上就是关于MDA260-16-ASEMI整流模块MDA260-16的详细介绍。它的本体长度为92mm，加引脚长度为115mm，宽度为50mm，高度为49mm，脚间距为35mm。
2023-02-03 16:03:31
376
原创 ASEMI整流模块MDA165-16特征，MDA165-16应用
每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0.18℃/W。储存温度范围（TSTG）：-40 to +125℃。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V。最大平均正向整流输出电流（IF）：165A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：6000A。最大瞬时正向压降（VF）：1.4V。最大直流反向电流（IR）：≤9mA。晶体管式交流电机控制器用线路整流器。AC/AC转换器用非可控整流器。闭锁电压：800至1800V。型号：MDA165-16。固定孔间距：80mm。
2023-02-02 16:52:15
190
原创 ASEMI整流模块MDA110-16参数，MDA110-16规格
每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0.35℃/W。储存温度范围（TSTG）：-40 to +125℃。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V。最大平均正向整流输出电流（IF）：110A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：2500A。最大瞬时正向压降（VF）：1.35V。最大直流反向电流（IR）：≤5mA。晶体管式交流电机控制器用线路整流器。AC/AC转换器用非可控整流器。闭锁电压：800至1800V。型号：MDA110-16。固定孔间距：80mm。
2023-02-02 16:51:08
240
原创 ASEMI桥式整流电路KBP206特性参数的计算
单个次级绕组连接到二极管桥网络的一侧，负载连接到另一侧，KBP206整流桥正是这样的桥式整流电路。这里，平滑DC信号可以被认为是具有小纹波的输出DC信号，而高纹波DC信号可以作为具有高纹波的输出信号。在正半周期中，两个二极管（如D1和D3）处于导通位置，而D2和D4二极管处于非导通位置。类似地，在负半周期中，诸如D2和D4的二极管处于导通位置，而诸如D1和D3的二极管处于非导通位置。整流器KBP206的效率主要决定整流器将AC（交流）转换为DC（直流）的能力。它是直流o/p功率和交流i/p功率的比值。
2023-01-31 17:03:12
1259
原创 经过ASEMI整流桥MB10F后输出电压是多少
负载越大，输出电压越小，滤波器电容越大，并且输出电压越大。单二极管半波整流时，整流后的输出电压约为0.45×220V=99V如果是MB10F四二极管全波整流，输出电压约为0.9×220V=198V。单二极管半波整流时，整流后的输出电压约为0.45×220V=99V如果是MB10F四二极管全波整流，输出电压约为0.9×220V=198V。无论是半波整流还是MB10F全波整流，输出电压均为AC 220V的峰值电压，约为220×1.414=311V。最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A。
2023-01-30 16:45:49
1841
原创 ASEMI整流桥GBU808在选型的过程中需要注意几点
例如，如果最大输入交流电压为220VAC，则整流桥的耐受电压需要≥（220*1.414*1.25=389）VDC。2、最大电流：结合产品的功率，使用电流适当的整流桥，即单个二极管的最大电流。例如，如果在85VAC的最低输入电压下输出功率为10W，效率为70%，则整流桥的最大电流需要≥（（10/0.7）/（85*1.414））*2=0.24A。3、浪涌电流（冲击电流）：由于整流桥GBU808的后端一般连接有一个电容器进行充电，因此电容器在充电的瞬间相当于短路状态。最大重复峰值反向电压（VRRM）：800V。
2023-01-30 16:44:28
568
原创 ASEMI桥式整流器KBU808的优缺点
与中心抽头全波整流电路相比，功率损耗更大：在电子电路中，我们使用的二极管越多，电压降就会越大。然而，在桥式整流器KBU808电路中，电压降略高于中心抽头全波整流器电路。低功耗：在半波整流器中，只允许输入交流信号的一个半周期，而阻止输入交流信号剩余的半周期。然而，在桥式整流器KBU808电路中，在输入AC信号的正负半周期期间都允许电流。桥式整流电路看起来比较复杂：在半波整流电路中，只使用一个二极管，而在中心抽头全波整流电路，则使用两个二极管。然而，桥式整流器和中心抽头全波整流器的整流效率是相同的。
2023-01-13 13:58:26
875
原创 ASEMI整流桥KBP310电路设计注意事项
二极管将使电压降低至少1.1伏，电压将随着电流的增加而升高。这是由二极管两端的标准电压降和二极管内部的电阻引起的。整流桥KBP310中二极管的PIV额定值低于与中心抽头变压器一起使用的两个二极管配置所需的额定值。如果忽略二极管压降，对于相同的输出电压，桥式整流器电路所需的二极管PIV额定值是中心抽头整流器电路的一半。由于整流桥KBP310使用硅二极管，电压降为1.1伏，并将随着电流的增加而增加。因此，可以实现的最大电压输出至少比交流输入的峰值电压低1.1伏。最大平均正向整流输出电流（IF）：3.0A。
2023-01-13 13:57:26
549
原创 ASEMI整流桥2W10，DB107S和KBP307封装参数对比
整流桥2W10，DB107S和KBP307的封装是不一样的，大家在选型的时候要注意，还有这三个型号的反向耐压都是一千伏，但是额定电流不一样，从1安到3安，其他的参数就比较接近了，大家在选型的时候要注意一点。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V。最大平均正向整流输出电流（IF）：2A。最大平均正向整流输出电流（IF）：1A。最大平均正向整流输出电流（IF）：3A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A。
2022-12-30 15:22:12
1132
原创 ASEMI整流桥MB10S，DB207S和ABS210有什么区别
整流桥MB10S，DB207S和ABS210都是贴片形式的，封装外观是比较接近，反向耐压都是一千伏，区别是额定电流有点不同，MB10S是1安培的，DB207S和ABS210是2安培的，其他的都差不多，这几个型号参数合适是可以互相代替的。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V。最大平均正向整流输出电流（IF）：1A。最大平均正向整流输出电流（IF）：2A。最大平均正向整流输出电流（IF）：2A。
2022-12-29 16:43:45
1654
原创 ASEMI整流二极管A7二极管和M7二极管能代换吗
A7二极管和M7二极管最大的区别在于封装形式，M7二极管封装是SMA/DO-214AC，A7二极管封装是SOD-123FL，M7的体积要比A7大。A7二极管和M7二极管不仅外观封装很像，各项参数也是非常接近的，那么A7二极管和M7二极管能代换吗？A7二极管和M7二极管，都是整流二极管，在电子电路中的应用有哪些区别呢？最大平均正向整流输出电流（IF）：1A。最大平均正向整流输出电流（IF）：1A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A。最大直流反向电流（IR）：5uA。
2022-12-28 17:01:54
1754
原创 ASEMI肖特基二极管MBR30100CT和MBR40200PT有什么区别
从详细的参数可以看出MBR30100CT和MBR40200PT的外观封装是不一样的，而且额定电流和反向耐压都不同，所以这两种型号是完全不能代替使用的，虽然都是肖特基二极管，但是ASEMI的肖特基种类是非常多的，大家在选型的时候要选择合适的封装和参数。最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V。最大平均正向整流输出电流（IF）：30A。最大平均正向整流输出电流（IF）：40A。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。
2022-12-27 16:47:46
1102
原创 ASEMI肖特基二极管SBT30100VFCT参数，SBT30100VFCT封装
工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +150℃。针对超低正向压降而优化的设备，可最大限度地提高电源应用的效率。最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V。最大平均正向整流输出电流（IF）：30A。每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W。峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A。最大瞬时正向压降（VF）：0.52V。最大直流反向电流（IR）：8uA。型号：SBT30100VFCT。封装：ITO-220AB。本体长度：16.1mm。引脚长度：13.9mm。总长度：30.0mm。
2022-12-20 16:16:42
214
原创 ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT图片，MBR10100FCT大小
工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃。端子：根据MIL-STD-750方法2026进行焊料电镀，可焊接。最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V。最大平均正向整流输出电流（IF）：10A。每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W。峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。最大直流阻断电压（VDC）：100V。最大瞬时正向压降（VF）：0.8V。封装：ITO-220AB。本体长度：15.4mm。
2022-12-15 16:52:07
960
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人