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RSS订阅原创 带隙基准
带隙基准目的建立一个与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压或者电流。在大多数应用中，所要求的温度关系有以下三种形式：1、与绝对温度成正比（PTAT）;2、常数Gm特性即一些晶体管的跨导保持常数；3、与温度无关。因此，设计带隙基准的问题可以分为两种：与电压无关的偏置和温度变化关系的确定。除了随电源、工艺、温度波动引起的性能变化外，基准的其他参数也是关键的输出阻抗、输出噪声和功耗。+++1、与电源无关的偏置如上图12（a）所示，如果Iref不随VDD变化，并且忽略M2和M3的沟道长度调
2020-10-02 22:46:47
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转载 ESD（静电释放）下半部分
ESD（静电释放）下半部分1、顶层（layout）设计角度[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-CjqITmNP-1601649828379)(https://i.loli.net/2020/10/02/EAyfRzVUawegG4h.png)]以上就是一个最简单的四端口模型电路，有电源VDD，有地VSS，有输入input，有输出output（上图中没有画出，可以认为是两个反相器的输出）。考虑到任意两个PAD均有可能发生ESD状况，所以，一定要注意layout
2020-10-02 22:44:54
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转载 ESD(静电释放)上半部分
ESD(静电释放)上半部分ESD：Electro-Static discharge静电释放1、ESD静电释放的模式1.1 人体放电模式（human body mode）人体会释放静电，那么人体对于芯片来说，意味着什么？[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-TY9CzNRO-1601649519998)(https://i.loli.net/2020/10/02/swBVkHAD17tJ5iW.png)]在A的时候，相当于人在生活中到处给自己的电容充电，
2020-10-02 22:40:07
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原创 带隙基准
带隙基准目的建立一个与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压或者电流。在大多数应用中，所要求的温度关系有以下三种形式：1、与绝对温度成正比（PTAT）;2、常数Gm特性即一些晶体管的跨导保持常数；3、与温度无关。因此，设计带隙基准的问题可以分为两种：与电压无关的偏置和温度变化关系的确定。除了随电源、工艺、温度波动引起的性能变化外，基准的其他参数也是关键的输出阻抗、输出噪声和功耗。+++1、与电源无关的偏置如上图12（a）所示，如果Iref不随VDD变化，并且忽略M2和M3的沟道长度调
2020-10-02 17:42:52
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原创 源极负反馈的尾电流源分析
源极负反馈的尾电流源分析一个差动对可以像图(a)和(b)那样实现负反馈。在图(a)中,Iss流过负反馈电阻,因此消IsRs/2I_sR_s/2IsRs/2 的电压余度,如果需要深的负反馈,所消耗的电压余度是个很严重的问题。另一方面,图(b)就不存在这个问题,但却受到较高的噪声(以及失调电压)的影响,因为两个尾电流源引入了一些差动误差。如果每个电流源的输出噪声电流等于平的话,那么图(b)电路的输人参考噪声电压比图(a)电路中的高2In2Rs2I^2_nR_s2In2Rs。图a中的尾电流源的噪声电
2020-09-12 11:01:57
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原创 三阶交调点（IP3）仿真
三阶交调点（IP3）仿真进行三阶交调仿真可以用PSS+PAC、QPSS、AC三种方法完成，以下分别进行说明。如果是双端输入的话，建议采用双音输入测试信号（幅度相同，频率不同的两种信号）。单端输入的话一个频率即可。通过一个2.4GHz低噪声放大器来讨论利用ADE进行低噪声放大器原理图设计、仿真参数设置及数据输出查看的基本方法和流程。Beat frequency设置为2.4G1、PSS+PAC仿真（1）先将原理图中的输入端改为使用port输入端口，并进行设置。“Source type”设为“sine”,
2020-09-12 11:01:05
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原创 半导体笔记
半导体笔记半导体器件肖特基势垒和欧姆接触肖特基势垒：当两种材料接触时，由于两种材料的费米能级位置不同，接触后必须两侧的费米能级一致，接触面的真空能级相同。载流子扩散流动必须使接触面两侧的费米能级相等才能达到平衡状态。所以接触后半导体的能带因内建电场而弯曲，这样接触面形成了电子的势垒，称为肖特基势垒，形成整流节。肖特基二极管（整流接触）就是利用这原理工作。解决方法：金属与半导体接触面出现肖特基势垒，但是我们不希望出现该势垒。理论上有两种方式：1.降低势垒高度，这样载流子不需要很高的能量即可越过势垒
2020-09-12 10:59:20
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原创 CMOS设计手册模拟篇
一、电流镜失配对电流镜的影响[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-rdEffD8i-1599879471868)(https://i.loli.net/2020/09/05/bMx5wUSIvPGnpTZ.png)]阈值电压失配对于一个电流镜而言，阈值电压时确定其总体精度的关键因素。假设阈值电压失配平均分布在M1和M2管上，那么：[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-SUeE0Yll-15998794
2020-09-12 10:58:19
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原创 CMOS设计手册基础篇
模拟CMOS衬底噪声：由于相邻的电阻互相注入电流而产生的衬底噪声。解决方法：在两个电阻之间加入一个P+注入区（作为P衬底晶圆的衬底接触）。P+注入区保护电路免受载流子的影响，由于注入区是一个环形，所以成为保护环。共质心版图共质心（共同的中心）版图有助于改善两电阻之间的匹配性能（代价是两元件之间具有不均匀的寄生特性），另外，共质心也能改善MOS和电容的匹配性能。3.MOS电容堆积 （VGS<<Vth）当VGS<0，来自衬底移动的空穴被吸引（堆积）到栅氧层的下
2020-09-12 10:57:37
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空空如也
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