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TQFN20-EP_5x5三维封装，MAX31865温度采集芯片用到的封装。PT100铂电阻温度采集传感器硬件PCB封装

注：电平、电压、电平转换、接大地方式等的重点简单介绍。 1、HC为COMS电平，HCT为TTL电平 2、LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路，HC一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS却没有这个要求 3、LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同 4、工作电压：LS只能用5V，而HC一般为2V到6V 5、CMOS可以驱动TTL，但反过来是不行的。TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻，将2.4V~3.6V之间的电压上拉起来，让CMOS检测到高电平输入 6、驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA;而CMOS的高低电平均为5mA 7、RS232电平为+12V为逻辑负，-12为逻辑正 8、74系列为商用，54为军用 9、TTL高电平>2.4V,TTL低电平<0.4V,噪声容限0.4V 10、OC门，即集电极开路门电路(为什么会有OC门?因为要实现“线与”逻辑)，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。并且只能吸收电流，必须外界上拉电阻和电源才才能对外输出电流 11、COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS 12、当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻 13、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平 14、如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5VCMOS电路的情况，如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74HC换成74HCT的芯片，因为3.3VCMOS可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏，然后加上拉电阻到5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。 15、逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流)，逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流) 16、由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样漏极开路形式就可以连接不同电平的器件，用于电平转换。需要注意的一点：在上升沿的时候通过外部上拉无源电阻对负载进行充电，所以上升沿的时间可能不够迅速，尽量使用下降沿。 以下有很多就不一一例出来了！！ ......

讲解硬件电路：1、传导与辐射；2、EMC标准及测试；3、EMC基础理论；4、传导干扰耦合形式；5、差模辐射与共模辐射；6、EMC设计；7、EMC接地设计；8、EMC滤波设计；9、EMC PCB设计；10、EMC工程师八个技能。 EMC基础理论 EMC基础理论（此部分为样例，内容中有很多图片分析，这里无法粘贴，没有进行展示，文件下载下来后可以看到图片。） －电磁干扰的时域与频域描述 :时域特性 －电磁干扰的时域与频域描述 :频域特性 －电磁干扰的时域与频域描述 :周期梯形波的 －电磁干扰的时域与频域描述:宽带噪声 －电磁干扰的时域与频域描述:时钟与数据噪声 －分贝（dB）的概念 分贝是电磁兼容中常用的基本单位。 定义为两个功率的比： 传导干扰耦合形式 1、共阻抗耦合 -由两个回路经公共阻抗耦合而产生，干扰量是电流i，或变化的电流di/dt。 2、容性耦合 -在干扰源与干扰对称之间存在着耦合的分布电容而产生，干扰量是变化的电场，即变化的电压du/dt。 3、感性耦合 -在干扰源与干扰对称之间存在着互感而产生，干扰量是变化的磁场，即变化的电流di/dt。 －电场与磁场 电场：导体之间的电压产生电场 -电场强度单位：V/m 磁场：导体上的电流产生磁场 -磁场强度单位：A/m 波阻抗：Zo=E/H 差模辐射与共模辐射 1、差模辐射：电流在信号环路中流动产生 2、共模辐射：由于导体的电位高于参考电位产生 3、PCB主要产生差模辐射 4、线缆主要产生共模辐射 5、差模辐射电场的计算 其中 ： E:电场强度(V/m) f :电流的频率(MHz) A:电流的环路面积(cm2) I :电流的强度(mA) r :测试点到电流环路的距离(m) 6、共模辐射电场的计算

要将5V升为12V建议直接使用DC/DC升压芯片来完成，目前国产的电源芯片做的比较好，性能也不差，所以今天推荐一款国产小体积、小封装、外设电路简单的升压芯片SX1308。文件内容是介绍如何应用SX1308来进行升压设计。 以下是内容部分展示（文件内容中有图片，下载后可查看） 电压稳定，最大输出电流不低于1A。 ▲ 大电流DC-DC升压电路。 上图所示电路的输入电压为5V，输出电压为12V，输出电流不低于1A。图中的XL6009是一款常用的大电流DC-DC升压IC，其推荐工作电压为5～32V，输出电压最高为35V，内置功率MOSFET的开关电流可达4A，开关频率为400KHz。 XL6009的②脚为使能控制端，该端悬空时为高电平，此时整个电路处于正常工作状态；当②脚为低电平时，XL6009内部电路关闭，此时整个升压电路停止工作，输出端无电压输出，故在XL6009的②脚加一个小的拨动开关即可控制整个升压电路的工作与否。 本电路的输出电压由电阻R1和R2决定，改变R1或R2的阻值即可调整输出电压。当R1和R2采用图示数值时，输出电压为固定的12V。图中的电阻R2阻值为10.33KΩ，实际中没有标称值为10.33KΩ的电阻，可以选用标称值为10KΩ和330Ω的电阻串联。 ▲ TO263-5封装的XL6009。 ▲ 贴片电感。 制作时，电感L可选用47μH的贴片功率电感，VD选用整流电流为3A的1N5822肖特基二极管。