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详细地解释了如何判断电路的正负反馈，电压电流反馈，串并联反馈。

模拟IC设计之MOS器件物理基础

后续文章大多是基于NMOS器件来讲解的，但是对于PMOS都很相似，且两种MOS性能上各有优劣，不是说只讲NMOS就是说NMOS好CMOS功耗与速度①开关状态nmos管：输入高电平，输出低电平输入低电平，输出高阻②开关状态pmos管：输入高电平，输出高阻输入低电平，输出高电平单个nmos逻辑：输入低电平时：nmos高阻，靠上拉电阻（如10k连接到电源）提供高电平输入高电平时：nmos输出低电平，输出端对地电阻10欧姆左右。此时，电源对地大概存在一个10k电阻，一直有电流消耗。单个pmos管，与单个n

第一种解释为什么CMOS工艺采用P衬底，而不用N衬底？这主要从两个方面来考虑：一个是材料和工艺问题；另一个是电气性能问题。 P型半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的三价元素，如：硼、铟、镓或铝等；N型半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的五价元素，如：磷、锑、砷等。P型半导体与N型半导体，在材料成本方面应该差别不是很大，但要把它做成一个电子产品，在生产工艺方面会存在很大的差异。例如，用本征锗材料制作PNP晶体管相对于用本征锗材料制作NPN晶体管容易很多，因为铟与锗比较容易结合（扩散）；同样，用本征