本文探讨了低位交叉编址在存储器设计中的应用，通过流水线方式实现T/r周期内高效存取，高位多体交叉寄存器与低位多体存储器的对比，强调了低位存储器如何更好地满足程序局部性。同时介绍了双端口存储器的并行访问特性。高位四体交叉存储器虽概率小，但展示了可能的连续访问能力。低位交叉编址对存储速度的提升效果显著。
1在低位交叉编址中，模块存取一个字的存取周期为T，总线传送周期为r，为实现流水线方式存取，存储器交叉模块数应大于等于m（m=T/r）
2连续存取m个字所需的时间为t1=T+（m-1）r，其中m为交叉存取度。每经过r时间延迟后启动下一个模块，交叉存储器要求其模块数必须大于等于m，以保证启动某模块后经过m*r的时间后再次启动该模块时，其上次的存取操作已经完成（即流水线不间断）。
3高位多体交叉寄存器由于在单个存储器中的字是连续存放的，所以不能保证程序的局部性原理；低位多体交叉存储器由于是交叉存放，所以能很好的满足程序的局部性原理。
高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问4个模块，这是因为高位四体交叉存储器虽然不能满足程序的连续读取，但仍有可能一次连续读出彼此地址相差一个存储体容量的4个字，虽然概率较小，但也不是不可能。
双端口存储器具有两套独立读/写口，具有各自的地址寄存器和译码电路，所以可以同时访问同一区间，同一单元
4低位交叉编址可以提高存储器读写速度
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