书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:3D集成技术:现状及应用发展
编号:JFKJ-21-748
作者:炬丰科技
摘要
正如ITRS路线图所预测的那样,仅靠缩小晶体管栅极尺寸主导的半导体产业发展将无法克服未来集成电路制造的性能和成本问题。如今,基于硅通孔(TSV)的三维集成是一种公认的方法,可以克服性能瓶颈,同时缩小尺寸。已经演示了几种全3D工艺流程,但是市场上仍然没有基于3D TSV技术的微电子产品——除了互补金属氧化物半导体图像传感器。没有TSVs的存储器和逻辑器件的3D芯片堆叠已经在市场上广泛引入。将TSV技术应用于逻辑存储器将提高这些先进产品的性能,同时缩小外形尺寸。除了能够进一步提高晶体管集成密度之外,3D集成还是异构技术集成的关键技术。小型化微机电系统/集成电路产品代表了这种异构系统的典型例子