反激变换器的变压器设计

最新推荐文章于 2025-04-08 20:45:59 发布

沣爸爸

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分类专栏：电路器件文章标签：硬件

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本文链接：https://blog.csdn.net/helloworldsyf/article/details/115440332

版权

10W

r=0.4

100V mos 95%

o=3.3V

i=9-36V

ng=70%

f=100K

输入参数

输入电压

$V_{in}=9-36V$

特点

实现宽电压输入的原理是良好的回路，大于50%占空比有斜坡补偿，甚至低压输入时可以加一个前级的boost电路

电流密度

纹波率/Krp值

$r=0.4$ 或者 $K_{rp}=\frac{2r}{2+r}=0.3333$

特点

纹波率越大需要的电感体积越大，越小需要的体积越小，拐点在0.4

反激一般CCM模式取0.4左右，DCM模式纹波率是大于1的

输入为窄电压为0.3-0.4 输入为宽电压为0.2-0.3

设计过程

计算匝比

$N_{ps}=\frac{\mathrm{V}_{\mathrm{Nps}}}{\mathrm{V}_{\mathrm{O}}}=\frac{V_{DS}-V_{INMAX}-V_{pk}}{V_{O}}$

选择100V的mos管，降额95%，mos管的尖峰电压取值在50~80V之间，最后得到（95-36-50）/ 3.3 = 2.727

推导

公式1根据匝比公式 $N_{ps}=\frac{N_{p}}{N_{s}}=\frac{V_{p}}{V_{s}}$ 推到

特点

这个是最小的理想匝比数

匝比的选取需要综合考虑mos的应力和输出二级管的应力，因为匝比越大反射电压越高

计算mos管的应力要留有90-100%的降额

mos管的尖峰电压取值在50~80V之间<

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