W25Q128数据手册翻译(3)

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8 指令

W25Q128FV使用标准/双线/四线SPI的指令集,一共包含45条基本指令,这些指令都通过SPI进行控制(参见指令集表1-2)。指令在片选信号/CS的下降沿发出,通过DI信号线传输的第一个字节为指令码。DI信号线上的信号在时钟的上升沿采样,MSb先传输。

QPI指令集则包含32条基本指令,同样通过SPI信号线的这些信号进行控制(参见表3)。指令同样需要在片选信号/CS的下降沿之后发出。通过IO[3:0]传输的第一个字节是指令码。四个IO线上的信号在CLK的上升沿采样,MSb先发送。所有的QPI指令,地址,数据和无效字节都使用四个IO线同时传输,每个字节消耗2个时钟周期。

有些指令的长度短至单个字节,有些则包含多个字节,首个字节的指令码之后跟着地址字节,数据字节,或者无效字节(不关心),或者是这些的组合。/CS信号的上升沿完成指令。各个指令和时钟相关的时序图参考图5到图57。所有的读指令可以在任意的时钟位置后完成。但是,所有写,编程或者擦除指令必须在字节边界之后完成(/CS必须在一个完整的8位传输之后置高),否则指令将会被忽略。该特性保护器件,避免不经意的写入。此外,在存储器正在编程或者擦除时,或者当正在写入状态寄存器时,除了读状态寄存器之外的所有指令都会被忽略,直到编程或者擦除循环完成。

8.1 器件ID和指令集表

8.1.1 制造商和器件标识符

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8.1.2 指令集表1(标准/双线/四线SPI指令)

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8.1.3 指令集表2(标准/双线/四线SPI指令)

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8.1.4 指令集表3(QPI指令)

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8.2 指令描述

8.2.1 写使能(0x06)

写使能指令(图5)用来设置WEL位。在每次进行页编程,四页编程,扇区擦除,块擦除,整片擦除,写状态寄存器或者擦除/编程安全寄存器指令之前,必须先设置WEL位。写使能指令发出前先设置/CS为低电平,将指令码0x06在CLK的上升沿移入DI信号线,然后驱动/CS为高电平。
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图5 SPI或者QPI模式下的写使能指令

8.2.2 易失性状态寄存器写使能(0x50)

易失性状态寄存器位已经在7.1小结进行了描述,这些非易失性状态寄存器位也可以按照易失性位写入。这提高了系统配置和存储器保护机制的灵活性,避免因频繁写入非易失性状态位从而降低这些位的寿命。当需要写易失性数据到状态寄存器的相关位时,必须在写状态寄存器指令(0x01)之前先发出易失性状态寄存器写使能(0x50)指令。该指令不会设置WEL位,因为仅用来控制写状态寄存器指令去写易失性状态位而已。
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图6 SPI或者QPI模式下的易失性状态寄存器写使能指令

8.2.3 写禁止(0x04)

写禁止指令(图7)复位WEL位。该指令发出时先拉低/CS位,然后将指令码0x04移位入DI信号线,然后驱动/CS为高电平。注意WEL位在上电之后,或者在写状态寄存器指令、擦除/编程安全寄存器指令、页编程指令、四页编程指令、扇区擦除指令、块擦除指令、整片擦除指令和复位指令之后自动复位为0。
在这里插入图片描述
图7 SPI或者QPI模式下的写禁止指令

8.2.4 读状态寄存器1(0x05),读状态寄存器2(0x35),读状态寄存器3(0x15)

读状态寄存

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