半导体知识：蚀刻（Etch）工艺讲解

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：HF 超深熔融石英玻璃蚀刻工艺 编号：JFKJ-21-259 作者：炬丰科技 摘要 微流控和光学传感平台通常是在玻璃和熔融石英中制备的(石英)，是因为它们的光学透明度和化学惰性。氢氟酸(HF)溶液是刻蚀二氧化硅的首选介质基片，但加工方案变得复杂和昂贵的蚀刻时间 大于1小时是因为高频的迁移通过大多数掩蔽材料。 介绍 玻璃和熔融二氧化硅是制造微电子机械的热门材料许多晶圆级的加工方法研制的硅不易转移到玻璃上;因此,制造采用了离子径迹刻蚀玻璃和激光...

刻蚀速率在小窗口图形中较慢，甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上刻蚀能停止，这一现象被称为深宽比相关刻蚀（ARDE），也被称为微负载效应。举个例子：当光刻胶作为掩膜需要去刻蚀SIO2，用干法刻蚀，这时就需要考虑刻蚀时在同等的时间，光刻胶和SIO2的刻蚀比。所以刻蚀与光刻是相关联的，曝光显影的图形质量也是决定刻蚀后的图形质量，这点对于尺寸以及线宽要求极为严格的图形来说非常重要。：在任何的刻蚀工艺中，总会有一定程度的、计划的过刻蚀，以便允许表层厚度变化，再或者是为了下一步工艺的要求等等。：湿法喷雾刻蚀、浸没刻蚀。

最后，从晶圆底部去除多余的材料，得到漂亮、光滑的表面。在称为掺杂的过程中，将少量缺陷引入这些原始组件，从而在材料的传导中产生巨大的变化。干法蚀刻可用于通过物理技术去除材料，例如离子撞击，然后从表面排出材料或将表面转化为可被吹走的气态活性物质的化学过程。在半导体器件的制造中，蚀刻对应于从平台上的薄层系统地去除材料（在其界面上有或没有先前的架构）并在平台上留下该物质序列的任何技术。半导体是电子设备的重要组成部分，它促进了电信、计算机、生物技术、武器技术、航空、可再生能源和各种其他领域的进步。

答：(1)立即警告周围人员. (2) 尝试 3 秒钟灭火. (3) 按下EMO停止机台. (4) 关闭 VMB Valve 并通知厂务. (5) 撤离.答：(1) 在PM后PUMP Down 1~2小时后;答：(1)警告周围人员. (2) 按 Pause 键,暂止 Run 货. (3) 立即关闭VMB 阀,并通。答：(1)确认安全无虑下,按 EMO键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3)处理受伤人员。答：(1)若为火警,立即圧下EMO(紧急按钮),并灭火且通知相关人员与主管(2)若是一。

DryEtch工序的目的广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案真实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wetetching)和干式刻蚀(dryetching)两种技术。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比(selectivity)。然而，由于化学反应没有方向性，因而湿式刻蚀是各向同性...

在现代半导体制造领域，光刻与刻蚀工艺犹如精密的雕刻大师，将复杂的电路设计精准地转移到硅片上，为芯片的诞生奠定了基石。这两项工艺的不断演进，是推动半导体技术朝着更小尺寸、更高性能和更强大功能发展的关键驱动力。光刻工艺负责在硅片表面构建微小的图形结构，而刻蚀工艺则将这些图形转化为实际的电路元件，二者相辅相成，共同塑造了半导体世界的微观奇迹。光刻工艺流程包含多个精细步骤，每个步骤都对最终的光刻质量起着至关重要的作用。在光刻工艺流程的起始阶段，使用稀释的氢氟酸（DHF）对硅片进行处理是至关重要的一步。硅片在存储和运

（一）半导体公司常用部门 HR（human resource）：人力资源部 GA（general affairs）：总务部 Accounting：会计部 MFG（manufacturing）：制造部 EE（equipment engineer）：工程部 PE（process engineer）：制程部门 PC（productin control）：生产控制 PR（public relation）：公关部 PIE/PDE（process integration）：工艺整合 QE（qualit

Welcome to Apache Etch Etch is a cross-platform, language- and transport-independent framework for building and consuming network services. The Etch toolset includes a network service description la...

2018年年底了，还在工作中。2019继续努力。 先看一下anti-etch的样子，可能五花八门，下面我找了一个我曾经画过的。 它就是一段线，把pcb分成不同的区域，用于划分电源层。 打开它的位置： 如果画的不满意，可以删除，点击菜单栏的删除按钮，找到右侧栏option，如下： 如果要画新的怎么办，增加如下： 技巧，在画新的之前，可以尝试先把板子上的主要差分线先大概走一走，然后再 colo...

接下来的是Fin的形成，宽度大概10nm，普通的光刻工艺无法形成这么小的线框，这里用的是SADP工艺，通过sidewall space作为etch HM形成Fin，当然现在的EUV光刻机可以直接形成。（5）简单的做法是直接CMP将二氧化硅磨平，但一般该步骤直接CMP会造成STI表面下陷，STI槽不满的情况，一般还会再加一层，将STI区域保护起来，将中间区域刻蚀掉，然后再CMP，这里简化处理。另外一种是整体去除Fin，然后外延生长SiC，其目的都是增加载流子的迁移速率，下面分别介绍。

前面已经简单介绍干法蚀刻的基本过程，这一节深入介绍干法蚀刻的基本原理，包括物理蚀刻，化学蚀刻，和反应离子蚀刻。物理蚀刻主要是用plasma轰击wafer表面，粒子与粒子之间发生碰撞，达到蚀刻的目的，整个过程全部是物理变化，没有新的物质生成。物理蚀刻是各向异性的，蚀刻方向沿着plasma速度方向，其他方向基本没有蚀刻，物理蚀刻没有选择性，高能离子可能会损伤器件。化学蚀刻主要是用plasma与wafe...