微碧VBsemi-CSDN博客

原创如何计算MOS驱动电路的参数？

如图，D1是驱动电阻Rg2上并联一个快恢复二极管，使关断时间减小同时减小关断损耗，Rg1可以限制关断电流，R1为mos管栅源极的下拉电阻，给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路。驱动走线的寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，如果驱动芯片的输出端直接到栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热甚至爆炸，一般的解决方法是在栅极串联电阻，降低LC振荡电路的Q值，使震荡迅速衰减掉。那么根据LC振荡电路的特性，为了保证驱动电流ig不发生震荡，该系统要处于过阻尼的状态；

2025-05-14 17:24:34 144

原创 MOSFET在电动汽车充电桩的应用

在全球电动汽车市场高速增长的浪潮下，充电桩作为新能源汽车产业的核心基础设施，其性能与可靠性直接影响用户充电体验。VBsemi 作为 MOSFET 领域的创新引领者，深耕充电桩应用场景，凭借高性能 MOSFET 产品与定制化解决方案，为行业发展注入强劲动力。

2025-05-09 17:37:48 357

原创 DC/DC变换器中MOS管并联时被击穿？

要是 Q1 和 Q2 的驱动电路未完全隔离，且栅极电容有差异，A 点断开时，电压在两个MOS管间就会分配不均。在DC/DC变换器中，MOS 管 Q1 和 Q2 并联，由公共点 A 的驱动信号控制。正常工作时，A 点连接适配的驱动电压（高或低电平，依 MOS管类型而定），Q1 和 Q2 会同步导通或截止。总之，DC/DC 变换器中 MOS管并联使用时，正确驱动和隔离至关重要，能有效避免击穿等故障。当 MOS管承受的电压超过额定值，就会进入雪崩击穿区，电流急剧增大，最终致使MOS管损坏。

2025-05-07 17:04:25 133

原创 MOSFET在电动牙刷中的应用

电动牙刷凭借高效清洁和便捷使用，成为现代口腔护理的热门选择。以其独特性能，深度参与电动牙刷核心功能实现，保障产品高效稳定运行。

2025-04-25 17:50:35 284

原创 MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？

当开关切换存在死区时间（上管和下管都不导通），而电感电流不能中断，此时电感电流就会通过下管的体二极管流动，电流方向从 S 到 D。这表明 MOS 管导通后，电流方向可以双向流动，既可以从 D 到 S ，也可以从 S 到 D。MOS 管体二极管的瞬间电流一般与 NMOS 管导通后瞬间电流相当，一般不易成使用瓶颈，持续电流可依 MOS 管功耗限制计算，特殊场景选型时需关注其电流参数避免电路故障。同时， D极为Vcc，S极为0V，体二极管反向偏置，也不导通，所以无法通过NMOS管流过电流。

2025-04-25 17:33:04 182

原创以 “芯” 致远！微碧 VBsemi 荣获 2024 年度华强电子网优秀国产品牌

从 MOSFET 设计、封装测试到技术支持，企业构建了全链条技术优势，以严苛的质量管控体系打造稳定可靠的产品，不仅在国内市场赢得广泛认可，更在国际舞台上与 TI、ST、AOS 等国际巨头同台竞技，以硬核实力证明国产半导体的品质高度，成长为国家级高新技术企业的标杆。展望未来，微碧半导体将以此次获奖为新起点，继续践行 “质量第一，效率第一，客户至上，服务至上” 的理念，加大技术研发投入，深化产学研合作，持续提升核心竞争力。凭借二十余年深耕不辍的技术沉淀、卓越的产品品质与创新实力，从众多竞争者中脱颖而出，荣获。

2025-04-18 17:55:40 259

原创智能办公新标准：低功耗MOSFET优化无线键盘续航

在智能键盘设计中，响应速度与能效是用户体验的核心。针对AI驱动键盘（如搭载DeepSeek芯片的高端产品），推出的屏蔽栅沟槽MOSFET（SGT）以超低损耗、纳秒级开关速度，成为提升交互流畅度的关键元件。

2025-04-08 20:15:00 596

原创 VBsemi 第三代 SiC MOSFET：21mΩ 阻抗如何颠覆快充版图

作为专注于高性能MOSFET设计的领先企业，VBsemi（微碧半导体）针对电动汽车直流快充、储能系统（ESS）及双向充电（V2G）等关键领域，推出多款基于第三代SiC技术的MOSFET产品。这些器件凭借超低导通电阻、高开关效率及卓越的散热性能，可完美替代传统硅基方案，助力客户构建更紧凑、更高效的功率系统。

2025-03-26 17:51:51 410

原创低功耗、高性能：IPB180N10S403ATMA1-VB助力AI技术突破

在人工智能（AI）技术飞速发展的今天，高效、稳定的硬件支持成为了推动AI应用落地的关键。微碧半导体（VBsemi）最新推出的单N沟道场效应晶体管，凭借其卓越的性能和先进的SGT（Super-Grain Technology）技术，为AI领域的各类模块提供了强有力的支持。

2025-03-21 15:43:06 264

原创微碧半导体：以SGT与超结MOSFET助力AI技术腾飞

公司产品覆盖广泛，涵盖各电压硅基MOSFET、SiC MOSFET、SGT MOSFET与IGBT等等，公司具有晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持等解决方案提供，销售办事处位于中国特区深圳，企业研发总部位于中国台湾新竹。这些产品不仅满足了AI硬件对高效能和高功率密度的需求，还为AI技术的快速发展提供了高效的电源解决方案，推动了AI技术的快速发展。无论您是新客户还是老朋友，我们都期待与您深入交流，共同探讨未来的科技创新，携手推动半导体行业的发展。举办的慕尼黑展会，参观我们的。微碧半导体诚邀您莅临。

2025-03-14 18:03:28 386

原创 MOSFET 在 3D 打印设备中的应用

3D打印设备凭借将数字化模型直接转化为实体的独特优势，在工业制造、医疗、建筑设计等领域广泛应用。从制作航空零部件原型，到定制个性化医疗器械，3D打印重塑着产品设计与生产流程。在此过程中，MOSFET极大影响着 3D打印设备的性能、精度与稳定性。

2025-03-07 18:32:34 866

原创 MOS管防反接：Nmos还是Pmos？

但由于 NMOS 管不仅导通电阻比 PMOS 管小，而且价格相对更便宜，在实际应用中，NMOS 管往往是更优的选择。当电源正接时，R1 为 MOS 管提供 VGS 电压，使其饱和导通；电源反接时，MOS 管无法导通，起到了防反接的作用。电阻 R1 为 MOS 管提供电压偏置，利用 MOS 管的开关特性来控制电路的导通与断开，进而防止电源反接对负载造成损坏。所以，在大多数情况下，我们会采用 MOS 管防反接电路。另外，电路中的 D1 是稳压管，它能防止栅源电压过高，避免 MOS 管被击穿。

2025-03-07 18:15:05 638

原创 MOSFET在智能插座中的应用

而且，它的导通电阻低至 4 - 5mΩ ，在智能插座频繁通断电过程中，发热少、能耗低，能高效精准地响应指令，实现对电器的稳定供电控制。当智能插座连接电器功率过大、电流超限时，通过监测电路反馈，调整其栅极电压，增大导通电阻限制电流，必要时切断电路。利用 VBQF1303 导通时的电压降和通过的电流，可计算电器实时功率，为智能插座的电能监测功能提供数据基础，让用户了解电器用电情况。其稳定的导通电阻和精准的参数特性，配合监测电路，能实现高精度的电能监测，不影响电器正常工作，为用户节能提供依据。

2025-02-28 17:20:56 370

原创 MOS管开关波形异常是怎么回事？

这表明，即便增大栅极驱动电流，MOS 管本身开关频率仍有上限。这一现象可由米勒平台解释，MOS管GS和GD之间分别有一个等效电容，电容两端电压不能突变，因此当栅极加上一个开关信号时，本质上就是对这些电容进行充放电，来使Vgs电压达到导通和关闭的门限。从功耗的计算公式P=U*I来看，当MOS管完全导通时，我们可以近似认为MOS管的损耗为0，即MOS的损耗仅存在于开关过程。因此，若栅极串联较大电阻，充放电电流小，电容充电速度慢，就会出现 MOS 管还未完全导通，下一个关闭信号就已到达的情况。

2025-02-26 16:56:22 335

原创 VBL1105 与 VBL1602：在电动自行车的应用

未来，它们会与传感器、控制器协同，根据传感器数据智能调控电流，优化电气系统。还能通过降低能耗、配合能量回收提升续航，依靠快速开关和高电流提升动力，凭借高耐压和抗干扰稳定运行，给用户带来更优质的绿色出行体验，助力行业迈向新高峰。电池供电，电机驱动，控制器调控电机，充电器给电池充电。：VBL1105 的 100V VDS 和 VBL1602 的 60V VDS，使其耐压高、抗干扰，适应复杂骑行环境。：采用 Trench 技术降低导通电阻，减少自身损耗，提升系统效率，延长续航并增强稳定性。

2025-02-21 17:38:57 237

原创单片机电路中反相器信号异常，mos管莫名损坏?

这是因为，当反相器的电源Vdd=9V，其输入信号（即单片机的输出信号）Vin=9V时，根据反相器的内部原理，上管Pmos会被完全关闭，下管Nmos完全导通，此时反相器的输出端Vout=Vss，一切正常。因此，当反相器的输入信号的幅值小于反相器的供电电压时，存在一定的风险，所以当电路中的mos管或者三极管出现异常时，可以通过实验检测是否是反相器的问题。理想状态下，反相器理论上能完美输出 0V - 5V 逻辑信号对输入信号反相，但实际工作中，可能输出 1V - Vdd或 2V - Vdd 等非理想信号。

2025-02-19 17:38:18 418

原创 VBL1101N MOSFET—在液晶电视中的应用

液晶面板负责呈现图像，背光源提供光线，电源板转换电压，主板处理信号，驱动电路控制液晶分子转动。未来，VBL1101N 有望持续升级，降低导通电阻、提高开关速度、增强耐压能力，满足电视更高效率、更低功耗的需求。在液晶面板驱动中，VBL1101N 依据图像信号控制液晶分子转动，快速切换导通状态，为面板提供合适电压电流，保证画面清晰、对比度高。Trench 技术优化内部结构，缩短电子迁移路径、减小寄生电容，提升电流传导效率和开关速度，能快速响应电视工作状态变化，精准调控电力。

2025-02-14 18:10:24 295

原创 PMOS高边开关为什么会电路短路？

测试发现，整流模块输出为 40V/5A、48V/6A、56V/7A ，空载分别为 100V/0A、48V/0A、56V/0A 时，PMOS 开关正常。但设置为 64V/8A（空载 64V/0A ）时，PMOS 能导通，关断却短路。同时，驱动电路若无法提供足够电流和电压驱动 PMOS，也会使其开关异常。另外，一定要保证驱动电路和 PMOS 的参数是匹配的，这样 PMOS 才能正常工作。小编今天看到这样一个我们可能在实际应用中遇到的问题：当 PMOS 用作高边开关时，在大电流关断的情况下会出现损坏故障。

2025-02-14 17:53:26 189

原创为什么MOS管会出现Vgs小平台？

R1 阻值减小，充电时间常数变小，对 Cgs 充电加快，MOS 管能更快度过米勒平台阶段，迅速进入完全导通状态。以一个 NMOS 开关电路为例，其中阶跃信号 VG1 设置了 DC 电平 2V，且为振幅 2V、频率 50Hz 的方波，而 T2 的开启电压同样为 2V，这使得 MOS 管 T2 会以 20ms 的周期进行开启和截止状态的切换。其中：Cgs称为GS寄生电容，Cgd称为GD寄生电容，输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。

2025-02-12 17:39:47 341

原创 MOSFET在照明系统的应用

从最初简单的明火照明，到白炽灯泡带来的电气照明变革，再到如今广泛应用的 LED 照明，照明系统正朝着智能化、高效化、节能化的方向大步迈进。VGS 为 4.5V 时，漏极 - 源极电阻 30mΩ ，VGS 为 10V 时降低至 25mΩ ，最大漏极电流（ID）为 45A，采用 Trench 技术，TO252 封装。随着技术的不断进步，MOSFET 的性能将不断优化，为照明行业的发展注入新的活力，推动照明系统向更加节能环保、智能便捷的方向迈进。具备良好温度稳定性和抗干扰能力。在照明系统领域，VBsemi 的。

2025-01-23 15:54:19 782

原创超结高压MOS管在高速吹风机中的应用

高速吹风机是融合多领域技术的新型美发工具，依靠高转速电机产生强劲气流，大幅缩短干发时间。按使用场景分为家用型，满足日常需求；专业沙龙型，功率大、调控精细；便携旅行型，小巧便携。不同类型的高速吹风机在各自场景下，为人们提供高效便捷的干发和造型体验。

2025-01-17 17:51:08 953

原创想让 MOS 管快速开关？驱动电路设计要点你都了解吗？

倘若不考虑纹波、EMI（电磁干扰）和冲击电流等因素，从理论上来说，MOS管的开关速度越快，对电路性能越有利。这是因为开关时间越短，开关损耗就越小，而在开关电源里，开关损耗在总损耗中占据相当大的比例。对于单个MOS管，将GS间电压从0拉至开启电压或从开启电压降至0V的时间越短，开启和关断速度就越快，因此要在更短时间内改变GS电压，就需给栅极更大的瞬间驱动电流。为了防止MOS管误导通，可以在MOS管G极和S极间并联一个10K电阻，降低输入阻抗。

2025-01-17 17:35:48 316

原创详解BLDC的 MOS 驱动电路

低边 MOS 管源极（S）接电源负极，栅源电压易满足，驱动简单。若要开通高边 MOS 管，就需要借助自举电路来提供合适的栅极电压，这一过程涉及复杂的电路设计和信号处理，驱动难度大。这 6 个 MOS 管分为两组，三个高边 MOS 连接电源正极（VBus），三个低边 MOS 连接电源负极。控制器通过控制 6 个 MOS 管通断，实现 BLDC 换相，调节电机转速、转向，满足不同应用需求，如电动汽车的加减速与能量回收。电机运转中若堵转引发过流，MOS 驱动电路能检测并切断电路，保护控制器和电机，确保系统运行。

2025-01-15 17:21:11 461

原创 MOSFET在空气净化器中的应用

MOSFET 在空气净化器的风扇电机驱动、负离子发生器控制以及传感器供电与信号处理等方面都发挥着不可替代的重要作用，显著提升了空气净化器的性能和品质，为人们提供了更加舒适、健康的室内空气环境。污染重时，增大占空比，风扇快转强力净化。但太快易引发电磁干扰，所以要结合驱动电路，使 MOSFET 输出电阻、电容参数适配，实现快速且稳定的导通截止。风扇电机电流随转速变，MOSFET 漏极电流（Id）参数依电机额定、最大电流定，多预留 30% - 50% 裕量，确保能应对启动冲击与脉冲电流，稳定驱动电机。

2025-01-10 16:55:06 332

原创 MOS管电流保护电路的工作原理是什么？又是如何保护电路的？

此时，Q63 处于饱和状态，其集电极与发射极之间的饱和压降约为 0.3V，由于三极管的发射级和集电极是和 MOS 的源极和栅极并联的，所以此时 MOS 管 Q62 的栅源电压被钳位在 0.3V 左右，Vgs 不再满足开启条件，PMOS 管 Q62 关闭，切断后级输出，从而可以有效保护负载和后级电路。此时，MOS 管 Q62 的栅极电压通过 R98 接地，栅源电压 Vgs 大于阈值电压，MOS 管导通，电源通过 MOS 管向负载 RL 供电，输出端 OUT 输出 + 24V 电压。

2025-01-10 11:44:12 444

原创一分钟快速了解Buck电路自举电路

而对于上管Q1而言，源极S本来就有一定的输出，要知道，当上管导通时，漏极D和源极S之间的电压Vds是很小的，如果要想直接驱动栅极G，满足Vgs＞Vgs（th）的条件，则需要在栅极G和地之间加一个很高的电压，这个难以实现控制。DCDC BUCK芯片有一个管脚叫BOOT（或 BST）,如下图，在外部电路设计时，BOOT和SW管脚之间需要加一个电容，一般是0.1uF，连接到DCDC高端MOS管的驱动端，这个电容就叫做自举电容。有了自举电路，就可以轻松在上管栅极G产生一个高压，从而驱动上管MOS。

2025-01-08 14:56:52 335

原创如何改进电源切换电路？

同时，VIN 经 Q1寄生二极管到输出端 VCC，Q2 导通使 Q1 栅极拉低，Q1 导通且其寄生二极管截止，VIN 经 Q1 到 VCC，Q5 和其体二极管均截止，从而有效地防止了外部电源 VIN 对电池的非正规充电。而当没有外部电源 VIN 时，Q7 截止，Q6 导通，Q3 栅极电压变为低电平其栅源电压小于 0 且达到导通阈值电平，Q3 导通，然后经过 Q5 寄生二极管到输出端 VCC，此时的Q5 栅极也为低电平所以导通，且其寄生二极管截止，电池电压到 VCC。

2025-01-03 13:59:37 211

原创 MOS管的特性是什么？怎么利用特性设计防反接电路？

以NMOS为例，当电源输入上正下负时，如下图黄色线条所示电流路径，经过R1、R2以及 MOS 寄生二极管后到地。此时，R1 与 R2 分压使得 GS 极电压大于 MOS 导通电压 Vgs，从而使 MOS 管导通，红色线条所示的整个电路回路接通，电路正常工作。当输入上负下正时，黄色线条所示电流路径因 MOS 寄生二极管反向截止，且 MOS 管的 GS 极无电压而截止，整个电路回路断开，系统电路得到有效保护。但要注意的是，通常电路系统是共地的就用PMOS防反接，共源就用NMOS防反接。

2024-12-26 15:33:49 280

原创 MOS管外围电路中的电阻有什么用？

在MOS管关断时，R6 和 D3 构成的回路能够快速放掉栅极结电容的电荷，使得栅极电位快速下降，从而加快MOS管的开关速度。并且在高频环境下，MOSFET 的输入阻抗会降低，在特定频率范围内还会变成负阻并引发振荡，这时R6可以减少震荡。R6阻值一般较小，通常在几欧到几十欧之间。随着 G 极积累的静电电压不断升高，一旦达到一定程度，MOS 管就会导通，若电压过高，甚至会导致 MOS 管损坏。在电路中，MOS 管的 DG 和 GS 之间存在结电容，当电路工作时，DS 之间的电压会对这些结电容进行充电。

2024-12-21 11:02:15 250

原创 MOS 管栅极驱动波形为何振荡？如何应对？

实际线路中会存在感抗和电阻，如图的等效电感 L1、等效电阻 R1，且 MOS 管 GD、GS 间有寄生电容（等效为 C1）。L1 和 C1就形成了谐振振荡电路，因 R1 极小无法起阻尼作用，导致在驱动脉冲上升沿、下降沿形成振荡波形。为抑制振荡，通常在栅极串联驱动电阻，且 PCB 走线时该电阻应尽量靠近栅极。因此，最理想是临界阻尼状态，此时栅极驱动电阻能抑制振荡且不致使 MOS 管开通时间加长。在驱动 MOS 管时的理想状态下，MOS 管栅极驱动波形是一个相对平滑的脉冲信号，那你知道为什么会形成振荡吗？

2024-12-18 16:24:15 797

原创 MIS6327-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

3. **LED照明应用**：LED驱动电路需要高效的功率开关器件来提供恒定的电流和亮度控制。1. **电源管理模块**：MIS6327-VB可用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统。4. **工业自动化**：MIS6327-VB可用于工业控制系统中的开关电源单元、电动执行器和电磁阀驱动器。2. **电动汽车系统**：在电动汽车中，MIS6327-VB可用于电池管理、电机驱动和充电系统。5. **医疗设备**：在医疗设备中，MIS6327-VB可用于电源管理模块、传感器接口和驱动器。

2024-10-12 13:43:05 271

原创 ME3424D-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

其导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）为30mΩ，在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值，门源阈值电压（Vth）为1.2V。1. **移动设备**：ME3424D-VB适用于设计手机充电管理模块、平板电脑充电器等移动设备电源管理模块，由于其小巧的封装和低导通电阻，在移动设备中占用空间少，能够提供高效的电源管理功能。2. **电源管理**：在需要小型化、高效率的电源管理领域，ME3424D-VB可以应用于各种小功率电源模块，例如便携式充电器、电池管理系统等，能够提供稳定可靠的电源输出。

2024-10-11 14:22:03 262

原创 IPD220N06L3-G-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品简介：IPD220N06L3-G-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道场效应管。3. 汽车电子系统：在汽车的电子系统中，IPD220N06L3-G-VB可以用于控制车辆的各种电气设备，如电动窗、座椅调节器等，确保其高效稳定的运行。1. 电机驱动：IPD220N06L3-G-VB可用于驱动各种类型的电机，如直流电机和步进电机，以控制其速度和方向。4. 工业控制：在工业控制领域，该器件可用于各种自动化设备和机器的控制，提高系统的响应速度和效率。- 型号：IPD220N06L3-G-VB。

2024-10-11 14:20:45 151

原创 MCH6448-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

其主要特点包括30V的耐压，最大6A的漏极电流，以及在VGS=10V时的RDS(ON)为30mΩ。综上所述，MCH6448-VB在电池管理、电源转换器、LED驱动器和消费类电子产品等领域和模块中具有广泛的应用潜力，特别适用于需要小尺寸、低功耗和高效率的电子设备和系统。1. 电池管理：在移动设备、便携式电子产品和无线传感器网络中，用于电池充放电管理和功率开关。2. 电源转换器：在小型DC-DC转换器和开关电源中，用于电源管理和稳压调节。- VGS=20V时：（需要进一步补充）- 封装：SOT23-6。

2024-10-11 14:17:35 333

原创 M2704-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

3. **导通电阻：** 20mΩ (N 沟道) / 70mΩ (P 沟道) @ VGS=4.5V - 在特定工作条件下（VGS=4.5V），分别为 N 沟道和 P 沟道的导通电阻。2. **最大电流：** 7A (N 沟道) / -4.5A (P 沟道) - 分别为 N 沟道和 P 沟道的最大导通电流。4. **阈值电压：** 0.71V (N 沟道) / -0.81V (P 沟道) - 分别为 N 沟道和 P 沟道的沟道导通所需的门源电压。**通道类型：** 2个N+P 沟道。- 最大耐压：±20V。

2024-10-11 14:16:25 167

原创 M2701-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

它具有±20V的漏极-源极电压承受能力，N-Channel 沟道最大漏极电流为7A，P-Channel 沟道最大漏极电流为-4.5A。2. 电源开关：在开关电源、DC-DC 变换器等电源管理模块中，M2701-VB 的 N-Channel 和 P-Channel 沟道可以被用于高效的电源开关和电源调节。- 阈值电压 (Vth)：N-Channel: 0.71V，P-Channel: -0.81V。- P-Channel 最大漏极电流：-4.5A。- N-Channel 最大漏极电流：7A。

2024-10-11 14:14:27 190

原创 LTS6342-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

DS(ON)): 30mΩ @ VGS=10V;- 额定电压 (VDSS): 30V。- 门阈电压 (Vth

2024-10-11 14:09:56 312

原创 LR4343-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

DS(ON))**: 24mΩ (在VGS

2024-10-11 14:04:29 222

原创 LR2905-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

其导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）为24mΩ，在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值，门源阈值电压（Vth）为1.8V。2. **电动车辆**：在电动车辆领域，这种器件可以用于设计电动汽车控制模块、电动车辆充电器等，因为它能够承受高电压和大电流，同时具有较低的导通电阻，能够提高效率和性能。3. **工业控制**：LR2905-VB适用于工业控制领域的电机驱动、电源开关等模块设计，能够提供足够的电流和电压，同时具有较低的导通电阻，提高了系统的稳定性和可靠性。- 最大漏极电流（ID）：45A。

2024-10-11 13:57:48 213

原创 LR2905C-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

其主要特点包括60V的耐压，最大45A的漏极电流，以及在VGS=10V时的RDS(ON)为24mΩ。3. 太阳能发电系统：在太阳能逆变器中起着重要作用，用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电以供电网使用。综上所述，LR2905C-VB在汽车电子、工业电源、太阳能发电和LED照明等领域和模块中具有广泛的应用潜力。2. 工业电源供应：可用于工业设备的电源管理和控制，如变频器、UPS系统以及工业电机驱动器等。4. LED照明：适用于LED驱动器电路中的功率开关，可用于控制LED照明的亮度和功率输出。

2024-10-11 13:56:28 188