【电路笔记通信】以太网芯片W5300、W5500相关资料选型指导、数据手册、硬件资料、交互控制代码资料

最新推荐文章于 2025-03-07 17:57:38 发布

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分类专栏：硬件和移动端文章标签：笔记

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W6100、W5100S、W5100、W5200、W5300、W5500对比与选型指导

数据手册

硬件资料

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5500控制代码

DHCP

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TCPSERVER

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TCPClient

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UDP

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DNS

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SMTP

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HTTPSERVER

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HTTPClient

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NETBIOS

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NTP

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PING

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FPGA交互控制

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Section 6 包含有关与 FPGA接口的数据总线的信息。这是一个并行数据总线，具有一些控件（片选、中断、读写）和一个地址输入;它不是 SPI 总线。它还具有一些模式（直接/间接），可用于以延迟为代价减少总线的引脚数。Timing diagrams 可以在本节末尾找到。这种设置的前提是你对总线进行 write/read，就像从 memory device 写入 / 读取一样。此设备的内存映射可以在第2和第3部分找到。传输时，写入内存的数据区并发送发送请求。相反，在接收时，当收到有效数据并且您直接从 rx 数据缓冲区读取时，将发送读取请求（通过中断或轮询适当的标志）。第 4 节详细介绍了各个寄存器以及如何配置器件。最令人感兴趣的是 Socket 寄存器的细节。

直接模式

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间接模式

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Timing

READ

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WRITE

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WRITE的时序参数

参数	描述	最小值 (Min)	最大值 (Max)
tADDRs	地址建立时间，在/CS和/WR变低电平前，地址必须保持稳定的时间。	-	7 ns
tADDRh	地址保持时间，在/CS或/RD变高电平后，地址信号应持续有效的时间。	-	-
tCS	/CS低电平持续时间，即/CS信号需要维持低电平的最短时间。	50 ns	-
tCSn	下一次断言/CS的时间，即从当前/CS变高到下一次可以再次变低的最小间隔时间。	28 ns	-
tWR	/WR低电平持续时间，即写信号需要维持低电平的最短时间。	50 ns	-
tDATAs	数据建立时间，在/WRITE信号变低之前，数据必须保持稳定的时间。	7 ns	-
tDATAh	数据保持时间，在/WRITE信号变高之后，数据应持续有效的时间。	7 ns	-

可设定的tDATAs 是主机写数据的建立时间(范围在7个PLL_CLK周期内)。这意味着当/WRITE信号变低后，数据必须在这段时间内保持稳定，以便W5300能够正确地读取这些数据。根据W5300的高性能互联网连接解决方案设置，tDATAs的时间取决于模式寄存器（MR）中WDF2-WDF0位的设定值。
W5300以太网控制器通信，清除相应的中断标志与写入数值代码示例：

// 假设已经定义了以下信号：
// input wire [7:0] Current_State;
// output reg CS, WR, RD;
// output reg [9:0] ADDR;
// output reg [15:0] DATA_Out;
// output reg [7:0] Next_State;

always @(posedge clk or negedge rst_n) begin
    if (!rst_n) begin
        // 复位时初始化所有输出信号
        CS <= 1'b1;
        WR <= 1'b1;
        RD <= 1'b1;
        ADDR <= 10'h0;
        DATA_Out <= 16'h0;
        Next_State <= 8'd0;  // 从状态0开始
    end else begin
        case (Current_State)
            8'd0: begin  
                CS <= 1'b0;          // 激活片选
                WR <= 1'b0;          // 写操作准备
                RD <= 1'b1;          // 确保读使能高电平
                ADDR <= 10'h206;     // 设置地址为 SOCKET0 中断寄存器 (S0_IR)
                DATA_Out <= 16'h0;   // 数据总线清零
                Next_State <= 8'd1;  // 转移到下一个状态
            end 

            8'd1: begin
                CS <= 1'b1;          // 取消片选
                WR <= 1'b1;          // 取消写操作
                RD <= 1'b1;          // 确保读使能高电平
                ADDR <= 10'h0;       // 地址总线清零
                DATA_Out <= 16'h0;   // 清除 S0_IR 寄存器中的中断标志
                Next_State <= 8'd2;  // 转移到下一个状态，即写入清除命令
            end

            8'd2: begin
                CS <= 1'b0;          // 激活片选
                WR <= 1'b0;          // 准备写操作
                RD <= 1'b1;          // 确保读使能高电平
                ADDR <= 10'h206;     // 设置地址为 SOCKET0 中断寄存器 (S0_IR)
                DATA_Out <= 16'hFFFF;// 写入值
                Next_State <= 8'd3;  // 转移到下一个状态
            end

            8'd3: begin
                CS <= 1'b1;          // 取消片选
                WR <= 1'b1;          // 取消写操作
                RD <= 1'b1;          // 确保读使能高电平
                ADDR <= 10'h0;       // 地址总线清零
                DATA_Out <= 16'h0;   // 数据总线清零
                Next_State <= 8'd10; // 转移到最终状态或下一任务
            end

            default: begin
                // 默认情况下保持当前状态或跳转到空闲状态
                Next_State <= 8'd10;
            end
        endcase
    end
end